全新的3.0V 1Gb-4Gb密度2KB/4KB页面第一代串行(SPI)NAND和1Gb-4Gb密度2KB页面第三代并行NAND ML-3产品系列,具有先进的安全功能 加利福尼亚州圣何塞2021年10月11日 /美通社/ -- 嵌入式存储解决方案全球领导者SkyHigh Memory Limited将在其NAND闪存系列中推出3.0V 1Gb-4Gb密度4KB页面和2KB页面ML-3产品。全新的1Gb-4Gb ML-3 SLC NAND闪存产品系列设备的设计采用了业界最先进的1纳米SLC NAND产品技术节点。 可提供不同接口,SkyHigh Memory第一代串行(SPI)SLC NAND和第三代并行SLC NAND补强了已在生产中的第三代ML-3 4Gb-16Gb并行SLC NAND产品系列。 新的1Gb-4Gb设备将用于支持在最高达105°C的扩展温度下存储关键数据的高可靠性系统。借助其内部ECC
SkyHigh扩展其SLC NAND闪存系列
2021-10-11 19:00:00来源: 美通社
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