高能离子注入机：我国芯片制造核心关键装备再获突破

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原标题：高能离子注入机：我国芯片制造核心关键装备再获突破记者近日从中国电子科技集团采访获悉，由该集团旗下电科装备自主研制的高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速，性能达国际主流先进水平。这意味着在芯片自主研制的道路上，中国又攻克了一样受制多年的核心装备。电科装备离子注入机总监张丛对人民网记者表示，电科装备将在年底前推出首台高能离子注入机，实现我国芯片制造领域全系列离子注入机自主创新发展，并将为全球芯片制造企业提供离子注入机成套解决方案。芯片国产化任重道远据了解，在我国，每年的芯片进口额度超过了石油，在进口商品中位列第一。根据国家海关数据统计，2018年，中国芯片进口总量为3120亿美元，占全球集成电路5千亿美元市场规模的60%左右。而同期，中国芯片的出口额仅为846亿美元。进出口差额巨大。也就是说，世界上每生产5块芯片，中国就买走了3块。业界普遍认为，在芯片领域，中国与国际先进水平相比差距巨大。其中又以产业基础的装备和材料差距最大。指令集、芯片设计EDA软件、芯片制造设备和材料…