中国科大在氮化镓半导体 p-n 异质结中实现独特的光电流极性反转

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近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓（GaN）半导体 p-n 异质结中实现了独特的光电流极性反转（即双向光电流现象）。中国科大消息显示，过去两年多来，团队利用分子束外延（MBE）技术所制备的高晶体质量氮化镓（GaN）纳米线，构建了应用于日盲紫外光探测领域的光电化学光探测器。更进一步，详细讨论了 GaN 基 p-n 结纳米线内部的电荷转移动力学，并通过在半导体纳米线表面修饰贵金属纳米颗粒，实现了电荷转移动力学的可控调制及高效紫外光探测。据悉，基于前期的工作积累，研究人员从 GaN 基半导体 p-n 异质结能带结构设计，MBE 外延工艺探索及纳米线形貌调控出发，结合 DFT 第一性原理理论计算优化及半导体表面金属铂（Pt）纳米颗粒定向修饰，成功构建了基于 p-AlGaN/n-GaN 异质 p-n 结的光谱可分辨型光电探测器 [Nature Electronics 2021, 4, 645–652]。在