业内曝三星 3nm GAA 存在漏电等关键技术问题，难与台积电匹敌

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据业内人士透露，三星电子的 3nm GAA 工艺目前仍面临着漏电等关键技术问题，消息人士称，该工艺在性能和成本方面可能也不如台积电的 3nm FinFET 工艺。据《电子时报》报道，上述人士表示，三星可能最早于 2022 年将其 3nm GAA 工艺量产，但由于成本高和性能不理想，可能无法吸引到台积电 3nm FinFET 工艺所获得的客户，后者据称已经获得了苹果和英特尔的订单。台积电有望在 2022 年下半年将其 3nm FinFET 工艺推向量产，CEO 魏哲家在最近的财报会议上表示，“N3 将是我们 N5 的另一个全面扩展，并将采用 FinFET 晶体管结构，为我们的客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。”在失去苹果 iPhone 处理器订单后，三星在尖端芯片竞争中落后于台积电。据市场观察人士称，从苹果手中夺回订单将是这家韩国供应商赢得 3nm 竞争的关键。