三星：3 纳米 GAA 制程研发进度领先台积电，将尽早实现商业化

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IT之家 8 月 26 日消息 据韩媒 BusinessKorea 报道，三星电子设备解决方案（DS）业务部首席技术官 Jeong Eun-seung 宣布，作为下一代代工微制造工艺的核心，全环绕栅极（Gate-All-Around，GAA）技术将尽早实现商业化。Jeong 在 8 月 25 日在线举行的三星技术与职业论坛上发表主题演讲时说：“我们正在领先于我们的主要竞争对手（台积电）开发 GAA 技术，如果我们攻克这项技术，我们的代工业务将能够进一步发展。”该论坛是由三星电子的 DS 业务部创建的，旨在吸引全球工程师。IT之家了解到，GAA 被认为是 3 纳米工艺的一个关键部分，在不久的将来将被全球顶级代工企业采用。其关键是将在半导体内部充当“电流开关”的晶体管的结构从 3D（FinFET）改为 4D（GAA）。据三星电子称，2019 年其与客户进行的 3 纳米 GAA 工艺设计套件测试显示，GAA 技术将芯片面积削