超越 3nm，三大晶体管结构方案解读

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8 月 13 日消息，随着三星、英特尔、台积电、IBM 等半导体厂商相继发布新晶体管结构的进展，半导体行业正处于晶体管结构转变的前夜。虽然芯片行业从不急于采用新的晶体管结构进行量产，但如果想要生产 3nm 或 2nm 制程的逻辑芯片，英特尔、三星、台积电等厂商必须从当前的鳍式场效应晶体管结构（FinFET）逐渐过渡到纳米片结构（Nanosheets）。堀口直人是 IMEC（比利时微电子研究中心）逻辑 CMOS 微缩项目主管，曾在富士通实验室和加州大学圣巴巴拉分校等机构任职。目前，堀口直人的研发重点就是 2nm 以下的 CMOS 器件。以下是芯东西对堀口直人就 3nm 晶体管结构发展回顾的完整编译。▲ IMEC 逻辑 CMOS 微缩项目主管堀口直人纳米片结构：进一步增强驱动电流兼具可变性一直以来，为了追寻摩尔定律，半导体产业在微缩逻辑 CMOS 尺寸上做出了相当大的努力。一种主要的方法是通过减少金属连线（或轨道）来降低单元高度（c