EUV 光刻的“致命弱点”

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几家供应商正在推出下一代检测系统和软件，以定位极紫外（EUV）光刻机工艺引起的芯片缺陷问题。每种缺陷检测技术都涉及到各种权衡，但由于 EUV 引起的随机缺陷最终会影响芯片的性能，在晶圆厂里使用一项或多项检测技术是非常必要的。EUV 光刻用于晶圆厂的芯片生产，它使用一个巨大的扫描仪在高级节点上对芯片的微小特征进行图案化，在操作中，EUV 的扫描仪产生光子，最终与晶圆上的光敏材料光刻胶相互作用，以形成精确的特征化图案。不过，并不是每次都可以实现精确图案化，在 EUV 中，光子撞击光刻胶发生反应且这一动作重复多次，这些过程充满不可预测性和随机性，可能会产生新的反应，也就是说 EUV 光刻工艺容易出现所谓的随机性，是具有随机变量的事件，这些变化被统称为随机效应。随机效应有时会导致芯片中出现不必要的接触缺陷或有粗糙度的图案，两者都会影响芯片的性能，甚至导致设备出现故障。▲EUV 光刻机，图片源自 ASML在过去的几年中，这些问题在传统的光