美国公司推出新型芯片布线技术：可用于 3nm 工艺，大幅减小内阻

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2021/6/7539d21a-85f6-4333-a8d8-0b67e1ebc526.jpeg

IT之家 6 月 18 日消息 根据外媒 techpowerup 消息，美国公司 Applied Materials（应用材料公司）今日宣布了一项新的半导体芯片布线技术，可以用于 3nm 制程工艺，能够大幅减少芯片内阻，从而提高效率，减小发热。官方表示，目前芯片多使用通孔在芯片中布线，随着制程提升，这种方式可以使得连接电阻增加 10 倍，从而抵消制程进步带来的优势。据IT之家了解，新的布线方法名为 Endura Copper Barrier Seed IMS，使用铜材质填充通孔，采用了 7 项工艺和方法来实现。具体方法包括表面处理、定向 ALD 沉积、PVD、 CVD、铜回流等，可以在狭窄的缝隙内填充铜元素，使得电阻降低 50% 以上。应用材料公司半导体产品部高级副总裁 Prabu Raja 表示，“智能手机芯片具有数百亿条铜连接线，布线的内阻消耗了芯片三分之一功率。这项技术在真空中进行加工，集成多项技术，重新设计材料