雄关漫道真如铁，长江存储国家存储器基地项目二期开工

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IT之家6 月 22 日消息 根据长江存储官方的消息，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期（土建）于 6 月 20 日在武汉东湖高新区开工。据介绍，长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设 3D NAND 闪存芯片工厂。项目一期于 2016 年底开工建设，进展顺利，32 层、64 层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款 128 层 QLC 三维闪存芯片 。在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。IT之家曾报道，4 月份，长江存储科技有限责任公司宣布其 128 层 QLC 3D NAND 闪存（型号： X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商 SSD 等终端存储产品上通过验证。作为业内