Rambus在三星14/11nm的HBM2E解决方案扩展其高性能内存子系统产品

亮点： 支持需要TB级带宽的加速器，用于人工智能/机器学习（AI / ML）训练应用 完全集成的HBM2E内存接口子系统，由经过验证的PHY和控制器组成，在先进的Samsung 14/11nm FinFET工艺上经过硅验证 拥有无与伦比的系统专业知识作为后盾，为客户提供中介层和封装参考设计支持，以加快产品上市时间 加利福尼亚州圣何塞2021年5月25日 /美通社/ -- Rambus Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）作为业界领先的芯片和IP核供应商，致力于使数据传输更快更安全。今天宣布推出Rambus HBM2E内存接口子系统，该子系统包括一个完全集成的PHY和控制器，在三星先进的14 / 11nm FinFET工艺上经过硅验证。 通过利用30多年的信号完整性专业知识，Rambus解决方案的运行速度高达3.2 Gbps，可提供410 GB / s的带宽。 这种性能满足