【TechWeb】5月19日消息,意法半导体发布了MasterGaN的首个参考设计,展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效,简化产品设计,缩短上市时间。 EVLMG1-250WLLC 参考设计是一个250W谐振变换器,电路板尺寸是100mm x 60mm,最高组件高度是35mm。功率芯片是集成了一个STDRIVE半桥栅极驱动器以及两颗650V常关的GaN晶体管的MasterGaN1。其具有匹配的时序参数,导通电阻(Rds(on)) 150毫欧,最大额定电流10A,逻辑输入兼容3.3V至15V信号。 MasterGaN1适用于最高400W的AC/DC电源、DC/DC变换器和DC/AC逆变器应用中的高效软开关拓扑,包括谐振变换器、有源钳位反激或正激变换器,以及无桥图腾柱PFC(功率因数校正)。 利用GaN功率晶体管的高能效,参考设计一次侧采用无散热器设计。此外,GaN晶体管的开关性能出色,工作频率高于普通硅基MOSFET解决
意法半导体发布MasterGaN参考设计并演示250W无散热器谐振变换器
2021-05-19 09:37:15来源: TechWeb
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