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东芝开发碳化硅功率模块新封装技术,提高可靠性并减小尺寸

2021-05-12 10:44:54来源: IT之家

5 月 12 日消息,东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)开发了用于碳化硅(SiC)功率模块的封装技术,能够使产品的可靠性提升一倍,同时减少 20% 的封装尺寸。与硅相比,碳化硅可以实现更高的电压和更低的损耗,且被广泛视为功率器件的新一代材料。虽然目前主要应用于火车的逆变器上,但是很快将被广泛用于光伏发电系统和汽车设备等高压应用。通过银烧结技术改善提高可靠性可靠性是碳化硅器件使用受限的主要问题。在高压功率模块中的应用不仅是半导体芯片,封装本身也必须具备高度的可靠性。东芝通过一种全新的银(Ag)烧结技术进行芯片焊接,来实现有效提高封装可靠性的目标。在当前的碳化硅封装中,功率密度提高以及开关频率都会导致焊接性能劣化,很难抑制芯片中随着时间的推移而增加的导通电阻。银烧结技术可以显著降低这种退化。而银烧结层的热电阻仅为焊接层的一半,从而使模块中的芯片可以更加紧密地靠近,从而缩小了尺寸。碳化硅功率模块的新封装(iXPLV)东芝将此新技术

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