SK 海力士预测存储未来：3D NAND 600 层以上，DRAM 10nm 以下

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3月28日消息 在最近的 IEEE 国际可靠性物理研讨会上，SK 海力士分享了其近期和未来的技术目标愿景。SK 海力士认为，通过将层数增加到 600 层以上，可以继续提高 3D NAND 的容量。此外，该公司有信心借助极紫外（EUV）光刻技术将 DRAM 技术扩展到 10nm 以下，以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中，以应对不断增加的工作负载。SK 海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进 DRAM 和 NAND 各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础，并取得创新，将来有可能实现 10nm 以下的 DRAM 工艺和堆叠 600 层以上的 NAND。”3D NAND 未来将达到 600 层以上历史的经验早已证明，3D NAND 无论是在性能还是在可拓展方面，都是一种非常高效的体系结构，因此，SK 海力士将在未来几年继续使用它。早在 2020 年 12 月，SK 海力士就推出了具有