十铨成功开发可超频 DDR5 内存：电压支持到 2.6V 以上，超频空间更大

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IT之家 3 月 26 日消息 根据十铨官方的消息，十铨科技在完成标准型 DDR5 U-DIMM 及 SO-DIMM 并与板厂合作验证后，今日宣布进程有崭新突破：旗下 T-FORCE 品牌成功打造出 DDR5 超频内存，并第一时间送样华硕、华擎、微星、技嘉等四大板厂相关部门进行超频能力测试合作。IT之家了解到，DDR5 超频内存在升级 PMIC(Power Management IC)后拥有更大幅度的电压调整空间，开发阶段进入到超频后，此 PMIC 可提供 2.6V 以上的电压增加内存高频驱动能力。在 DDR5 以前的世代，电压转换是由主板控制，而进入到 DDR5 后将组件移至内存本身，电压转换将由内存处理，不仅减少电压损耗，还可减少噪声产生，让超频空间相比于过去能拥有更大幅度的提升，带来更强大的运算能力。十铨科技表示，T-FORCE 将承袭 DDR4 时期强大的品牌技术力量，持续探索 DDR5 的超频途径，创造超越上一世代内存