SK海力士CEO：未来十年将研发10nm以下工艺DRAM和600层NAND

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【TechWeb】3月25消息，据国外媒体报道，SK海力士是全球重要的存储芯片制造商，他们在去年10月份同英特尔达成了协议，将以90亿美元收购英特尔大部分的NAND闪存及存储业务，收购之后就将超过日本的Kioxia，成为仅次于三星的全球第二大NAND闪存制造商，并会缩小与三星的差距。 除了通过收购扩大规模、获得知识产权及研发人员，SK海力士也在致力于研发更先进的DRAM和NAND产品。 韩国媒体的报道显示，在2021年IEEE（电气电子工程师学会）国际可靠性物理研讨会上发表演讲时，SK海力士CEO李锡熙（Lee Seok-Hee）就表示，在未来十年，他们将致力于克服材料、结构和可靠性方面的挑战，开发10nm以下工艺的DRAM和600堆叠层的NAND。 在报道中，韩国媒体表示，研发10nm以下工艺的DRAM，要求SK海力士等半导体厂商，克服光刻技术方面的挑战。 在NAND方面，SK海力士已经研发出了176层堆叠的3D NAND。