三星推出全球首款 HKMG 工艺 DDR5 内存，单条 512GB

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2021/3/20210325_114925_344.jpeg

IT之家3月25日消息 据外媒 HPCwire 消息，三星电子 3 月 24 日宣布成功开发了单条容量 512GB的 DDR5 模组，使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺，可以提供超过 DDR4 内存一倍的性能表现，达到 7200Mb/s。三星表示，新款内存可以用于超级计算机、人工智能运算、数据分析等领域，保证性能释放。IT之家了解到，HKMG 技术目前仅应用于 GDDR6 显存芯片，能够使用新的金属材料作为芯片中的绝缘层，减少漏电流，使得能耗降低 13%。三星这项技术在 DDR5 内存颗粒的应用，进一步确立了该品牌的领先地位。除此之外，三星还利用了 TSV硅通孔技术，堆叠 8 层 16Gb DRAM 芯片，因此可以实现 DDR5 内存 512GB 的最大容量。三星电子内存部门副总裁 Young-Soo Sohn 表示，“三星是目前全球唯一一家能够使用 HKMG 技术制造内存芯片的半导体厂商。