为逻辑芯片和存储芯片等应用提供高性价比的刻蚀解决方案上海2021年3月16日 /美通社/ -- 中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”,上交所股票代码:688012)在SEMICON China 2021期间正式发布了新一代电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备Primo Twin-Star®,用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。 中微公司双反应台电感耦合等离子体刻蚀设备Primo Twin-Star® 基于中微公司业已成熟的单台反应器的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术和双台反应器的Primo平台,Primo Twin-Star®为电介质前道/后道制程、多晶硅刻蚀、DTI和BSI刻蚀等提供了高性价比的刻蚀解决方案。它的创新设计包括:Primo Twin-Star®使用了双反应台腔体设计和低电容耦合3D线圈设计,创新的反应腔设计可最大程度减弱非中心对称抽
中微公司发布双反应台电感耦合等离子体刻蚀设备Primo Twin-Star(R)
2021-03-16 08:00:00来源: 美通社
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