三星全球首秀3nm！电压只需0.23V

图片地址：http://upload.techweb.com.cn/2021/0314/1615715743410.jpg

这几年，台积电在半导体工艺上一路策马扬鞭，春风得意，能够追赶的也只有三星了，但是后者的工艺品质一直饱受质疑。 IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。 在三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点，其他则是升级改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。 三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，再次实现了晶体管结构的突破，比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。 GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。 三星的第一颗3nm SRAM芯片用