能减碳的晶体管：IBM 混搭出低功耗硅基器件

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3 月 11 日消息，近日，IBM 欧洲研究中心和洛桑联邦理工学院的研究人员研发出一种混合硅基器件。该器件结合了三五族场效应晶体管和金氧半场效晶体管的优势，能够在不同电压条件下实现较低的功耗，未来或可用于减少信通行业的碳足迹。这项研究已发表于国际学术期刊《自然–电子学》，论文名称为《集成在硅上的混合三五族场效应晶体管和金氧半场效晶体管技术平台（A hybrid III–V tunnel FET and MOSFET technology platform integrated on silicon）》。论文链接：点击打开一、两种场效应管性能各有优劣摩尔定律决定了，缩小晶体管的尺寸成为全球半导体行业共同追逐的目标。但是，IBM 欧洲研究中心和洛桑联邦理工学院的研究人员认为，在缩减晶体管尺寸以外，还有其他提升晶体管性能的方法。研究人员注意到，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和隧道场效应晶体管（TFET）这两种晶体管，具备