据媒体报道，最近日本产业技术综合研究所与中国台湾半导体研究中心等开发出新一代半导体必需的新结构的场效应晶体管，即将硅和锗等不同沟道材料从上下方堆叠、使“n型”和“p型”场效应晶体管靠近的名为“CFET”的结构。与此前的晶体管相比，CFET结构的晶体管性能高、面积小，有助于制造2纳米以下线宽的新一代半导体。（界面）
日本与中国台湾合作开发出新一代晶体管结构CFET
2021-03-09 15:24:43来源: 36氪
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