揭秘 3nm/2nm 工艺新一代晶体管结构：采用 GAA FET 全栅场效应晶体管

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2 月 21 日消息 一些晶圆代工厂仍在基于下一代全能栅极晶体管开发新工艺，包括更先进的高迁移率版本，但是将这些技术投入生产将是困难且昂贵的。英特尔、三星、台积电和其他公司正在为从今天的 FinFET 晶体管向 3nm 和 2nm 节点的新型全栅场效应晶体管（GAA FET）过渡奠定基础，这种过渡将从明年或 2023 年开始。GAA FET 将被用于 3nm 以下，拥有更好的性能，更低的功耗和更低的漏电压。虽然 GAA FET 晶体管被认为是 FinFET 的演进，并且已经进行了多年研发，但任何新型晶体管或材料对于芯片行业来说都是巨大的工程。芯片制造商一直在尽可能长地推迟这一行动，但是为了继续微缩晶体管，需要 GAA FET。需要指出的是，虽然同为纳米片 FET，但 GAA 架构有几种类型。基本上，纳米片 FET 的侧面是 FinFET，栅极包裹着它，能够以较低的功率实现更高的性能。▲ 图 1：平面晶体管与 FinFET 以及