三星基于 EUV 的 1z 纳米 DRAM 量产，背后技术细节揭秘

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三星电子近期将极紫外（EUV）光刻技术应用在基于 1z-nm 工艺的 DRAM 上，并且完成了量产。半导体分析机构 TechInsights 拆解了分别采用 EUV 光刻技术和 ArF-i 光刻技术的三星 1z-nm 工艺 DRAM，它认为该技术提升了三星的生产效率，并减小了 DRAM 的核心尺寸。TechInsights 还将三星的与美光的 1z-nm 工艺 DRAM 进行了对比，三星的 DRAM 在芯片超单元尺寸（Cell Size）方面同样较小。一、三款 1z-nm DRAM 芯片使用 EUV 技术，核心尺寸缩小 18%三星在 2019 年末大批量生产了 100 万颗采用 1x-nm 工艺和 EUV 技术的 DRAM。紧接着在去年年初，三星电子首次宣布将研发分别使用了 ArF-i 技术和 EUV 技术的 1z-nm DRAM。如今，三星已经在量产的 1z-nm DRAM 上应用了 EUV 技术。目前三星对采用 1z-nm