芯片竞争加剧：三星砸千亿在美建厂，死磕台积电

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1 月 25 日消息，据华尔街日报报道，三星将投资 170 亿美元（折合约 1101 亿人民币）在美建芯片代工厂，其地址可能位于美国亚利桑那州、德克萨斯州或者纽约。这一举措可能与台积电之前在美国亚利桑那州投资建设新厂有关。据称，三星为了追赶在先进制程工艺上领先的台积电，将跳过 4nm 工艺，直接建设可量产 3nm 芯片的晶圆厂。知情人士分析，这可能是三星第一家在美国使用 EUV（极紫外辐射）光刻机的晶圆代工厂。一、砸 170 亿美元，在美建 3nm 厂据相关文件和熟悉韩国三星电子计划的人士透露，该公司正考虑投资至多 170 亿美元，在美国亚利桑那州、德克萨斯州或纽约建设一家晶圆代工厂，预计 2023 年投入使用。据报道，三星去年十月就在美国德州奥斯汀购买了十万平方米的土地，并且在十二月开始申请将土地用途变更为工业开发用地。目前三星在奥斯汀的晶圆代工厂主要生产基于 14nm、28nm 以及 32nm 工艺的芯片，工艺较为落后。而且