续命摩尔定律新进展：英特尔提出晶体管密度翻倍新工艺

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芯东西 12 月 30 日消息，英特尔在本周的 IEEE 国际电子设备会议上展示了一项新的研究，或为续命摩尔定律提供下一步可行方向。此项研究是英特尔一直热衷的堆叠纳米片晶体管技术，通过将 PMOS 和 NMOS 两种晶体管堆叠起来，可以将 CMOS 电路的面积减少一半，这意味着未来集成电路晶体管密度可能会翻番。01. 用最简单 CMOS 器件做实验，尺寸大小减一半几乎每一台电子设备都离不开 NMOS 和 PMOS 两种晶体管的 “协同合作”。在相同的电压下，两个晶体管只有一个会打开，把它们放在一起意味着只要有其中之一发生改变，电流才会流动，这大大地降低了能耗。几十年以来，NMOS 和 PMOS 晶体管在 CMOS 电路中一直并排放置，如果我们想让 CMOS 电路的尺寸更小，那两个晶体管的位置就应该更加贴近。英特尔选择的方式，就是让它们堆叠起来。▲堆叠的 NMOS 和 PMOS 晶体管（图源：英特尔）有了堆叠晶体管这一巧思，英特尔