三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线

厦门2020年12月3日 /美通社/ -- 中国化合物半导体全产业链制造平台 -- 三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。 三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET 随着中国“十四五”规划浮出水面，第三代半导体项目投资升温加剧。据不完全统计，2020年有8家企业计划投资总计超过430亿元，碳化硅、氮化镓材料半导体建设项目出现“井喷”。三安集成表示，“良性竞争有助于产业链上下游协同发展，我们会加快新产品的推出速度和产能建设，以便保持先